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频率提升 尔必达50nm DDR3开发完成

2008-11-27 7:46:00　文/正骨水,编辑/陈顺径　出处：IT.com.cn(IT世界网)

　　DDR3内存的最大优势就是频率极高，而日本尔必达公司的 50nm工艺DDR3 SDRAM无疑扩大了这一优势。该颗粒创下多项业界第一，如全球最节能，封装体积最小，同时实现了2.5Gbps的高速度和1.2V的低电压。

　　尔必达50nm DDR3DDR3颗粒采用了193nm浸润式光刻技术制造，单颗芯片面积不到40平方毫米。除支持DDR3内存标准的1.5V电压外，还可支持1.35V或1.2V的低电压工作，功耗比70nm制程产品降低50%以上。数据传输率有800Mbps、1066Mbps、1333Mbps、1600Mbps、1866Mbps、2133Mbps和2500Mbps多档。

　　尔必达表示，采用50nm制程的DDR3颗粒将于明年第一季度开始量产。公司同时还宣布使用50nm工艺，开发针对高端消费电子产品的Mobile RAM存储芯片产品。

　　DDR3内存产能相信因此而进一步提高，那么DDR3内存是否会重蹈DDR2内存的覆辙呢？

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